本节应掌握的知识要点： ①for循环应用；②nextFrame()、prevFrame()动作应用；③层深度的进一步理解。 与条件判断语句一样，循环语句也是最具有实用性的语句，在满足条件时程序会不断重复执行，直到设置的条件不…

ROM、RAM和FLASH的区别是什么？ SRAM、DRAM、PROM、EPROM、EEPROM 一.性能对比 1.ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。 ROM是Read Only Memory（只读存储…

上一篇：【飞思卡尔 MC9S12】PRM文件与内存映射（Flash、RAM、EEE） 上一篇讲到PRM文件与内存映射，其中有个重要寄存器叫做GPAGE，可以全局访问所有地址范围，Flash操作也是基于这个地址。 在讲述Flash读写之前，有一个重要概念要普及，就是Flash操作代码不能存储在被操作的…

目录 1、Tc39x系列 Flash编程 2、Flash、NorFlash、NandFlash区别： 3、NvM Flash操作注意事项： 1、Tc39x系列 Flash编程 当前AUTOSAR项目用到的主要芯片是英飞凌的TC397芯片，介绍一下TC397芯片上面硬件FLASH相关知识。 TC397芯片存储分为…

TC275的flash 下载必须用的0XA0000000地址，s19文件是0x80000000地址开始的 首先介绍命令 上面这是各种命令 命令怎么用是根据下面的这种 擦除是下面的函数 sector_addr IfxFlash_pFlashTableLog[g_Pflash.sector].start;这个设置要擦除的扇区 endinitSfty_pw…

前言 最近使用到瑞萨R78族的MCU，准备做一个关于掉电保存参数配置的功能，需求大概是对200多个参数在掉电瞬间保存到芯片flash空间中，网上关于瑞萨MCU的flash读写操作教程也比较少，于是笔者结合在开发过程中遇到一些问题&#xff0…

上一篇：【飞思卡尔 MC9S12】内部Flash读写 上一篇讲到内部Flash的读写，本篇讲述使用D-Flash模拟EEPROM。其实使用P-Flash也可以模拟，只不过D-Flash的Page更小（擦除复写占用更少时间），而且不会占用代码空间。 最近刚换工作，一直比较忙，更新会比较慢。若是需要源码可自…

前言 上一篇介绍了 Flash 的一些基本知识，这一篇主要如何进一步封装 illD 库的Flash驱动代码，并进行使用。以 TC37X 为例子，附完整代码实现。 通过封装可以快速上手使用，同时在一定程度上提高 Flash 的使用寿命 接口设计 根据PFlash和DFlash的擦除特性，PFlash擦除后不能…