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ROM、RAM和FLASH的区别是什么?
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一.性能对比
1.ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。 ROM是Read Only Memory(只读存储…
建站知识
2024/11/22 23:52:16
【飞思卡尔 MC9S12】内部Flash读写
上一篇:【飞思卡尔 MC9S12】PRM文件与内存映射(Flash、RAM、EEE)
上一篇讲到PRM文件与内存映射,其中有个重要寄存器叫做GPAGE,可以全局访问所有地址范围,Flash操作也是基于这个地址。
在讲述Flash读写之前,有一个重要概念要普及,就是Flash操作代码不能存储在被操作的…
建站知识
2024/11/22 18:52:04
NvM Flash编程基础概念
目录 1、Tc39x系列 Flash编程
2、Flash、NorFlash、NandFlash区别:
3、NvM Flash操作注意事项: 1、Tc39x系列 Flash编程
当前AUTOSAR项目用到的主要芯片是英飞凌的TC397芯片,介绍一下TC397芯片上面硬件FLASH相关知识。
TC397芯片存储分为…
建站知识
2024/11/13 23:13:01
tc275的flash
TC275的flash 下载必须用的0XA0000000地址,s19文件是0x80000000地址开始的
首先介绍命令 上面这是各种命令 命令怎么用是根据下面的这种 擦除是下面的函数 sector_addr IfxFlash_pFlashTableLog[g_Pflash.sector].start;这个设置要擦除的扇区 endinitSfty_pw…
建站知识
2024/11/22 18:51:58
瑞萨R78族Flash读写操作详细探讨
前言
最近使用到瑞萨R78族的MCU,准备做一个关于掉电保存参数配置的功能,需求大概是对200多个参数在掉电瞬间保存到芯片flash空间中,网上关于瑞萨MCU的flash读写操作教程也比较少,于是笔者结合在开发过程中遇到一些问题࿰…
建站知识
2024/11/13 23:13:08
【飞思卡尔 MC9S12】内部D-Flash模拟EEPROM
上一篇:【飞思卡尔 MC9S12】内部Flash读写
上一篇讲到内部Flash的读写,本篇讲述使用D-Flash模拟EEPROM。其实使用P-Flash也可以模拟,只不过D-Flash的Page更小(擦除复写占用更少时间),而且不会占用代码空间。
最近刚换工作,一直比较忙,更新会比较慢。若是需要源码可自…
建站知识
2024/11/13 23:13:20
英飞凌 AURIX TC3XX 系列单片机的 NVM-Flash 功能代码实现
前言
上一篇介绍了 Flash 的一些基本知识,这一篇主要如何进一步封装 illD 库的Flash驱动代码,并进行使用。以 TC37X 为例子,附完整代码实现。 通过封装可以快速上手使用,同时在一定程度上提高 Flash 的使用寿命 接口设计
根据PFlash和DFlash的擦除特性,PFlash擦除后不能…
建站知识
2024/11/13 23:13:14
为跨平台数据库引擎 SQLite 实现加密扩展《转》
SQLite 简介 SQLite 是非常优秀的跨平台数据库引擎。与最常见的需要服务进程的数据库引擎(如 MySQL )不同,SQLite 引擎不是独立的进程,而是与主程序编译在一起、并运行在同一个进程空间中的代码。数据的存取则是通过程序内直接调…
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2024/11/16 16:42:29